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業(yè)內(nèi)普遍觀點認(rèn)為，較合現(xiàn)貨市場交易頻次更高，對短期市場行情的反應(yīng)更為敏銳、精準(zhǔn)。此次DDR4與DDR5同步出現(xiàn)巨額價差，根源在于合約價調(diào)整滯后于市場真實供需變化，這種背離狀態(tài)顯然難以持續(xù)，合約價補漲已是必然趨勢。

供需兩端的失衡，進一步放大了這一價格分化的趨勢。供應(yīng)端方面，受晶圓廠建設(shè)、投產(chǎn)周期偏長的限制，2026年內(nèi)DRAM行業(yè)新增產(chǎn)能十分有限，其中DDR4內(nèi)存領(lǐng)域還會進一步減產(chǎn)，供給收縮的態(tài)勢十分明顯。需求端卻持續(xù)保持高需求，伴隨AI基礎(chǔ)設(shè)施加速迭代升級，存儲單元正從單一服務(wù)器向機架系統(tǒng)拓展，大幅拉動了DRAM內(nèi)存的整體需求，供需缺口持續(xù)擴大。

高盛在報告中明確提到，下游終端客戶已逐步認(rèn)可2026年第一季度內(nèi)存價格大幅上漲的預(yù)期，這也為后續(xù)合約價上調(diào)筑牢了市場基礎(chǔ)。此次價差修復(fù)及價格上漲，或?qū)?nèi)存廠商營收、下游電子 設(shè)備制造成本帶來連鎖反應(yīng)，這一趨勢值得全行業(yè)密切追蹤。

（文中圖片來源于網(wǎng)絡(luò)）